Tower Semiconductor 在日本投資 30 億美元

芯片製造商 Tower Semiconductor 宣布將在日本投資 30 億美元以加強芯片製造，其中包括來自日本政府的 10 億美元撥款。第一階段將大幅增加 300 毫米矽光子器件產能，預計於 2027 年第四季度全面投產。該階段包括改造原 Fab 6 工廠，使其具備 300 毫米矽光子器件產能和先進封裝能力。第二階段將與第一階段同步啟動，包括在 Fab 7 工廠旁新建一座 300 毫米光刻機製造廠。

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